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      京都大學利用太赫茲脈沖提高半導體電子密度
      發布時間:2012-02-17 來源:國家能源局

      日本京都大學研究人員采用強太赫茲脈沖照射普通的半導體材料,使載荷子密度提高。研究人員針對這種現象設計了專門的實驗,將標準半導體材料砷化鎵量子阱樣本暴露太赫茲脈沖下持續1皮秒,突然暴發了雪崩式反應,產生大量電子-空穴對,形成激子,發出近紅外冷光,這種明亮的冷光與載荷子倍增有關,使樣品密度比初始時提高1000倍。

      京都大學進行太赫茲波在生物成像技術中的多種應用研究,但將太赫茲波用于研究半導體則是一個完全不同的科學領域。該發現對于設計和實現超高速晶體管、高效太陽電池、高靈敏光子探測儀等方面具有重要作用。相關研究成果發表在《Nature Communications》上。

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